可靠性測試

以下是 SENASIC 為其產(chǎn)品可靠性進(jìn)行的各種類型測試的信息：

加速測試

大多數(shù)半導(dǎo)體器件在正常使用下的使用壽命可以延長很多年。然而，我們不能等待數(shù)年才研究一種設(shè)備；我們必須增加施加的壓力。施加的應(yīng)力增強或加速潛在的失效機制，幫助識別根本原因，并幫助 SENASIC 采取措施防止失效模式。

在半導(dǎo)體器件中，一些常見的加速因素是溫度、濕度、電壓和電流。在大多數(shù)情況下，加速測試不會改變故障的物理原理，但它確實會改變觀察時間。加速和使用條件之間的轉(zhuǎn)變稱為“降額”。

高度加速測試是基于 JEDEC 的資格測試的關(guān)鍵部分。以下測試反映了基于 JEDEC 規(guī)范 JESD47 的高度加速條件。如果產(chǎn)品通過了這些測試，則該設(shè)備對于大多數(shù)用例來說都是可以接受的。

溫度循環(huán)

根據(jù) JESD22-A104 標(biāo)準(zhǔn)，溫度循環(huán) (TC) 使設(shè)備承受兩者之間的極端高溫和低溫轉(zhuǎn)變。該測試是通過將設(shè)備暴露在這些條件下循環(huán)預(yù)定次數(shù)來進(jìn)行的。

高溫工作壽命 (HTOL)

HTOL 用于確定設(shè)備在高溫工作條件下的可靠性。該測試通常根據(jù) JESD22-A108 標(biāo)準(zhǔn)運行較長一段時間。

溫度濕度偏置/偏置高加速應(yīng)力測試 (BHAST)

根據(jù) JESD22-A110 標(biāo)準(zhǔn)，THB 和 BHAST 使器件在偏壓下經(jīng)受高溫和高濕條件，目的是加速器件內(nèi)部的腐蝕。THB 和 BHAST 具有相同的用途，但 BHAST 條件和測試程序使可靠性團(tuán)隊的測試速度比 THB 快得多。

高壓鍋實驗/無偏置 HAST

Autoclave 和 Unbiased HAST 決定了器件在高溫高濕條件下的可靠性。與 THB 和 BHAST 一樣，它的目的是加速腐蝕。然而，與這些測試不同的是，這些單元不會受到偏壓。

高溫儲存

HTS（也稱為 Bake 或 HTSL）用于確定設(shè)備在高溫下的長期可靠性。與 HTOL 不同的是，該設(shè)備在測試期間并未處于運行條件下。

靜電放電 (ESD)

靜電荷是靜止時不平衡的電荷。通常，它是由絕緣體表面摩擦或拉開產(chǎn)生的；一個表面獲得電子，而另一表面失去電子。結(jié)果是一種不平衡的電氣狀況，稱為靜電荷。

當(dāng)靜電荷從一個表面移動到另一個表面時，它會變成靜電放電 (ESD)，并以微型閃電的形式在兩個表面之間移動。

當(dāng)靜電荷移動時，它會變成電流，從而損壞或毀壞柵極氧化物、金屬層和結(jié)。

JEDEC 以兩種不同的方式測試 ESD：

1. 人體模式 (HBM)

一種組件級應(yīng)力，用于模擬人體通過設(shè)備將累積靜電荷釋放到地面的行為。

2. 帶電器件模型 (CDM)

根據(jù) JEDEC JESD22-C101 規(guī)范，模擬生產(chǎn)設(shè)備和流程中發(fā)生的充電和放電事件的組件級應(yīng)力。